11月20日-21日，享誉全球的半导体产业盛会ICCAD-Expo（第31届）盛大召开。来自全球领先的设计、Foundry、EDA、IP、设计服务、封测企业及合作伙伴欢聚成都，分享集成电路前沿技术与创新成果。紫光国芯全面展示了三维堆叠DRAM解决方案、客制化C-DRAM、车规LPDDR4 DRAM、LPCAMM2与先进工艺全流程设计服务等创新技术成果，并在多个技术专题论坛上发表主题演讲，与众多产业链上下游的企业代表、专家学者展开深入交流。
行业领先的三维堆叠DRAM（SeDRAM®）解决方案，释放芯片极限性能
人工智能大模型已进入快速应用落地阶段，核心芯片的性能是基础设施部署的关键因素。紫光国芯凭借行业领先的三维堆叠DRAM技术（SeDRAM®），可为算力芯片提供高达数十TB的访存带宽和数十GB的存储容量，同时访存功耗较HBM方案减少80%以上，是助力算力芯片发挥极限性能的理想解决方案。
左丰国发表题为“利用三维堆叠DRAM和架构创新带来芯片性能的极致释放”的演讲
在IP与IC设计服务论坛上，紫光国芯定制存储芯片产品业务总经理左丰国分享了公司在三维堆叠DRAM（SeDRAM®）技术领域的最新进展。
他指出：“紫光国芯在三维堆叠DRAM技术领域深耕多年，多种产品方案已成功支持数十款芯片的研发或量产，涵盖多家行业头部厂商的产品。近几年，我们推出了专门适配大模型应用场景的SeDRAM®方案，能助力用户芯片性能做到极致发挥。未来，针对应用场景的不断细化，我们也会推出更丰富的产品组合以满足不同的场景需求。”
客制化C-DRAM系列，推动端侧AI差异化应用
作为智能存储与泛连接领域的创新引领者，紫光国芯致力于为主控芯片设计公司提供业界领先的DRAM存储器KGD解决方案。面对AI技术浪潮下“云边端协同”与万物智能化的趋势，紫光国芯布局客制化C-DRAM系列产品，通过电压轻量化、端口先进化、协议通用简易化等多维度创新，打通定制化开发中的生态壁垒，推动端侧AI实现差异化应用。
王嵩发表题为“DRAM在端侧AI时代下的"芯"历程与机遇”的演讲
在同期举办的IC设计与创新应⽤论坛上，紫光国芯存储KGD产品业务总经理王嵩从DRAM技术演进历程出发，系统分析了端侧AI在带宽、功耗与容量等方面提出的新挑战，并分享了紫光国芯如何通过持续的技术革新，探索符合新时代差异化需求的存储发展路径。
他表示“科技发展不断推动DRAM技术与应用形态的演进。自2017年以来，紫光国芯陆续推出兼具高性能和高性价比的KGD产品，现已实现全系列、全容量覆盖，累计出货量已突破数亿颗。我们致力于构建全栈存储解决方案，并深耕客制化领域，赋能人工智能普及，在蓬勃的KGD生态中持续创新，不断拓展存储的边界。”
高可靠车规级DRAM，助力汽车电子产业变革
此次展会中，紫光国芯展示了面向车载应用的大容量车规级存储解决方案，涵盖LPDDR4、LPDDR4x等多款车规芯片。相关产品在高速接口与低功耗设计方面不断优化与创新，传输速率已跻身国际先进行列，最高可达4266Mbps，并已通过AEC-Q100车规认证，支持-40℃至105℃的宽温工作范围，能够为各类车载场景提供高性能、高稳定性的存储支持。目前，紫光国芯车规级存储芯片的年出货量已达数百万颗规模。
此外，紫光国芯还构建了完整的DRAM颗粒产品矩阵，涵盖从SDR/DDR1到DDR4/LPDDR4/4x以及MCP等多种类型，全面覆盖车规级、工业级与商业级等不同规格，能够充分满足消费电子、工业控制、物联网等多元化应用场景对存储产品的多样化需求。
新一代LPCAMM2产品系列，突破传统内存方案局限
紫光国芯新一代LPCAMM2实现了单个模块上的128位双通道内存总线布局，相比DDR5 SO-DIMM 速率提升35%，同时运行功耗降低50%以上，主板占用面积减少60%以上，为笔记本电脑，边缘计算设备，游戏掌机等紧凑型设备提供理想解决方案。
LPCAMM2打破了LPDDR内存需焊接于主板的传统限制，支持用户灵活自主升级内存。凭借多年的行业深耕与积累，紫光国芯现已实现全国产内存模组的全系列布局。
掌握先进工艺制程，全流程一站式设计服务
在市场竞争和工艺演进的背景下，IC设计企业正面临工艺制程节点持续微缩的挑战，一个能够解决工艺制程难点和适配市场需求的完整芯片设计开发体系就变得尤为重要。
为此，紫光国芯采用灵活的商业模式，为客户提供包括数字设计、功能验证、综合和可测性设计、后端物理实现、模拟设计开发、ATE测试开发和量产支持在内的全流程“一站式”设计服务解决方案，以高质量的项目交付铸就行业口碑，助力客户提升产品竞争力。
陕ICP备14006572号 
陕公网安备 61019002001302号
返回列表
